在常壓下，空氣中存在大量的氣體分子。這些分子會(huì)在蒸發(fā)材料的粒子運(yùn)動(dòng)路徑上頻繁發(fā)生碰撞，極大地干擾了它們的定向運(yùn)動(dòng)軌跡。這會(huì)導(dǎo)致鍍膜過程中粒子的分布變得混亂無序，難以均勻地沉積在基底表面，從而使得最終形成的膜層厚度不均勻、質(zhì)量參差不齊。而在真空環(huán)境中，氣體分子數(shù)量極少，可以有效地減少這種碰撞和干擾，使得蒸發(fā)的材料粒子能夠更加自由、順暢地運(yùn)動(dòng)到基底表面，從而提高鍍膜的效率和質(zhì)量。

氧氣和其他氣體在與蒸發(fā)材料發(fā)生化學(xué)作用時(shí)，會(huì)迅速轉(zhuǎn)化為多種氧化物或不同的化合物。這不僅會(huì)改變蒸發(fā)材料本來的特性，還會(huì)給膜層的純度和性能帶來嚴(yán)重的不利影響。而在真空環(huán)境中，可以有效地將氧氣等有害氣體排除在外，避免這種氧化和污染現(xiàn)象的發(fā)生，確保蒸發(fā)材料能夠保持其純凈的狀態(tài)進(jìn)行鍍膜。

在真空中，由于氣體分子數(shù)量極少，粒子之間的碰撞概率大大降低，這就使得粒子的平均自由程大幅增加。這樣一來，蒸發(fā)的材料粒子能夠更加自由、順暢地運(yùn)動(dòng)到基底表面，減少了在傳輸過程中的能量損耗和方向偏差。這種高能量和集中入射角的特性有助于形成更為致密、附著力更強(qiáng)的膜層。

真空度的高低對(duì)蒸發(fā)源材料的蒸發(fā)速率有著顯著的影響。當(dāng)真空度較高時(shí)，環(huán)境中的氣體分子數(shù)量極少，蒸發(fā)源材料的表面所受到的氣體分子碰撞和阻礙作用也相應(yīng)減弱。這使得蒸發(fā)源材料能夠更快速、穩(wěn)定地蒸發(fā)，從而確保了蒸發(fā)速率的可精確控制性。而穩(wěn)定的蒸發(fā)速率對(duì)于形成均勻、高質(zhì)量的膜層至關(guān)重要。

真空環(huán)境為蒸發(fā)材料的凝聚和結(jié)晶提供了更為適宜的條件。在真空中，由于沒有了氣體分子的干擾，蒸發(fā)材料粒子在沉積到基底表面后能夠更加自由地進(jìn)行凝聚和結(jié)晶。這有利于形成更加規(guī)整、有序的晶體結(jié)構(gòu)，提高膜層的結(jié)晶質(zhì)量。